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시보램스 낸드보다 1000배 빠른 메모리 개발

달자_앱빠님의 기기정보
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황철성 서울대 재료공학부 교수(사진) 연구팀은 낸드플래시보다 쓰기 속도가 1000배 빠르고 용량은 1.5배 큰 차세대 저항변화 메모리(RRAM)를 개발했다고 21일 발표했다.

낸드플래시는 연간 240억달러 이상 수출되는 한국의 전략기술이다. 하지만 반도체 제작 공정이 10나노미터대로 발전하면서 정해진 칩 면적에 더 많은 메모리 소자를 넣는 집적화에 어려움을 겪었다. 연구진이 개발한 저항변화 메모리는 트랜지스터를 기본 소자로 사용하는 낸드플래시와 달리 한쪽 방향으로만 전류가 흐르도록 유도하는 다이오드를 사용해 서로 다른 저항값에 따라 데이터를 기록하는 기술이다. 잠재력이 큰 차세대 기술로 주목받지만 소자 내부에서 안정적인 저항상태를 유지하는 게 어려워 상용화가 쉽지 않았다.

* 출처 : https://news.naver.com/main/read.nhn?mode=LSD&mid=shm&sid1=105&oid=015&aid=0003362669

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